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      TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

      发表于 2019-05-05 15:52:22 收藏 已收藏
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      TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

      发表于 2019-05-05 15:52:22
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      不久前,TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器,为此,电子产品世界等媒体采访了应用部经理陈兴鹏先生。

      图1:新型Micronas HAL® 39xy霍尔效应位置传感器系列,具有多种带主动杂散磁场补偿的测量模式

      1. 应用领域

      问:这款新产品的应用领域是什么?

      答:主要驱动因素就是汽车的电动化趋势。汽车里有越来越多的电机和大电流电缆,它们都会产生杂散磁场。

      因此,可以说所有应用都需要或多或少的杂散场抗扰度,具体需求则要视精度要求、在车辆中的位置以及自然屏蔽效果等因素而定。

      问:在中国的目标客户主要集中在哪些行业?

      答:TDK的线性霍尔效应产品线已在中国具备强大的市场地位。我们的目标就是将3D霍尔效应设备领域的成功复制到中国的所有市场领域。

      TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

      2. 如何实现杂散磁场补偿?

      问:霍尔传感器的历史很长,我们还能有哪些创新?

      答:我们仍在不断改进霍尔元件的性能(灵敏度、噪声、功耗)和功能(三维采集、应力抗扰度),此次展示的HAL® 39xy 系列产品的主要创新在于杂散场抗扰度(降低外部干扰磁场对被测位置/角度相关磁场的影响)。

      其原理就是使用多个霍尔元件,通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源,从而输出不受外部磁场干扰的数据。

      这一切都有赖于直接将霍尔元件集成到CMOS技术中,即能够轻松地将多个霍尔元件集成到一个硅片上。这是该技术的独特优势。

      问:这款新产品的独特优势是什么?

      答:非常灵活,能够处理许多不同的应用场景和配置。

      我们目前在一个硅片上共集成了10个霍尔元件。根据所用磁体以及被测运动(线性行程、角度、轴上、偏轴)的不同,DSP会采用不同的霍尔元件组合,通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源,从而输出不受外部磁场干扰的数据。

      TDK-Micronas推出了具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

      问:新品采用了哪些特有的技术?另外,杂散磁场会对大多数基于霍尔效应技术的位置传感器产生影响,所以是否会考虑其他技术(诸如TMR)?

      答:此次展示的HAL39系列产品其主要创新在于杂散场抗扰度(降低外部干扰磁场对被测位置/角度相关磁场的影响)。

      其原理就是使用多个霍尔元件,通过智能算法进行信息融合并检测出干扰源,从而输出不受外部磁场干扰的数据。我们采用了获得专利的IP。产品规格显示杂散场剩余干扰只有< 0.1°。

      这一切都有赖于直接将霍尔元件集成到CMOS技术中,即能够轻松地将多个霍尔元件集成到一个硅片上。这是该技术的独特优势。

      目前TDK也正在努力实现不受杂散场干扰的TMR(隧道磁阻)解决方案。

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